La imagen es solo una referencia.
EPC2111
- Descripción :
- TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
- Paquete :
- Die
- Esta parte cumple con RoHS
- Hoja de datos (0)
- Añadir a Favoritos
- Añadir para comparar
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 16A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 30V
- FET Feature :
- GaNFET (Gallium Nitride)
- FET Type :
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 230pF @ 15V，590pF @ 15V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- Die
- Packaging :
- -
- Power - Max :
- -
- Rds On (Max) @ Id，Vgs :
- 19 mOhm @ 15A，5V，8 mOhm @ 15A，5V
- Series :
- -
- Supplier Device Package :
- Die
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.5V @ 5mA
